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  • HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源
    HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源

    HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源:高性能紅外輻射源,采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠實現高達850°C的溫度,提供高且長期穩定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源在HermeSEAL®選項中是一種高性能紅外輻射源,特別適用于醫學、工業和航空航天領域中要求苛刻的氣體分析應用。

    更新時間:2024-09-26訪問次數:1456
  • JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源
    JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源

    JSIR 350-4 紅外輻射源 紅外光源:高性能紅外輻射源,采用高性能納米非晶碳膜片。該膜片能夠實現高達850°C的溫度,提供高且長期穩定的輻射輸出。JSIR 350紅外紅外輻射源非常適合用于醫學、工業以及其他高要求應用領域的各種氣體分析應用。

    更新時間:2024-09-26訪問次數:1408
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型
    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。

    更新時間:2024-09-25訪問次數:1249
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝
    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝

    基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝:JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體及相關氣體。帶有標準TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。

    更新時間:2024-09-25訪問次數:1451
  • 基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝
    基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝

    基于C-MOSI的紅外輻射源,SMD封裝,硅ARC窗口:適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅需250毫瓦輸入功率,也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度,具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對于高容量應用,如樓宇空調、自動化等,JSIR340因其出色的性價比而非常適合。

    更新時間:2024-09-25訪問次數:1287
  • 四通道JSIR 350-4紅外輻射源,TO8封裝
    四通道JSIR 350-4紅外輻射源,TO8封裝

    四通道JSIR 350-4紅外輻射源,TO8封裝,帶反射器,開放式:高性能紅外發射器,采用TO8封裝,包含4個芯片,用于測量極低濃度或吸收特性較弱的氣體。標準TO8封裝版本帶有反射器但無窗口,也適用于從30厘米開始的長距離測量。這種基于MEMS的發射器與燈絲發射器相比,它具有顯著更長的使用壽命和更少的漂移。

    更新時間:2024-09-25訪問次數:1213
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